N-Channel 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | 175°C | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
基本製品番号 | TPN1R603 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | U-MOSIX-H | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.1V @ 300µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3900 pF @ 15 V | |
消費電力(最大) | 104W (Tc) | |
その他の名前 | TPN1R603PLL1QDKR TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1QCT TPN1R603PLL1QTR TPN1R603PLL1Q |
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