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TPN4R806PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
NOVA部品番号:
312-2281987-TPN4R806PL,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPN4R806PL,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| 基本製品番号 | TPN4R806 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 72A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.5mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 300µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2770 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TPN4R806PLL1QTR 264-TPN4R806PLL1QCT 264-TPN4R806PLL1QDKR TPN4R806PL,L1Q(M |
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