SIDR626LDP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

NOVA部品番号:

312-2274113-SIDR626LDP-T1-RE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIDR626LDP-T1-RE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8DC
基本製品番号	SIDR626
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	135 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5900 pF @ 30 V
消費電力(最大)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
その他の名前	742-SIDR626LDP-T1-RE3DKR 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR 742-SIDR626LDP-T1-RE3CT