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NTMJS1D4N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
NOVA部品番号:
312-2297740-NTMJS1D4N06CLTWG
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTMJS1D4N06CLTWG
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-LFPAK | |
| 基本製品番号 | NTMJS1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 262A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 280µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7430 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 4W (Ta), 180W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NTMJS1D4N06CLTWGDKR 488-NTMJS1D4N06CLTWGCT 488-NTMJS1D4N06CLTWGTR |
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