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DMNH10H028SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
NOVA部品番号:
312-2273309-DMNH10H028SPSQ-13
製造メーカー部品番号:
DMNH10H028SPSQ-13
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
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N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 | |
| 基本製品番号 | DMNH10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2245 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 1.6W (Ta) | |
| その他の名前 | DMNH10H028SPSQ-13DIDKR DMNH10H028SPSQ-13DICT DMNH10H028SPSQ-13DITR |
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