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IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
NOVA部品番号:
312-2288141-IRFH5110TRPBF
製造メーカー部品番号:
IRFH5110TRPBF
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
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N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| 基本製品番号 | IRFH5110 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 63A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 100µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3152 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IRFH5110TRPBFTR 448-IRFH5110TRPBFCT 448-IRFH5110TRPBFDKR IRFH5110TRPBF-ND SP001560340 |
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