N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
基本製品番号 | IRLH5030 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HEXFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 150µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
Vgs (最大) | ±16V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5185 pF @ 50 V | |
消費電力(最大) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
その他の名前 | IRLH5030TRPBF-ND IRLH5030TRPBFTR IRLH5030TRPBFCT IRLH5030TRPBFDKR SP001558752 |
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