N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | |
基本製品番号 | BSC109 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 45µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2500 pF @ 50 V | |
消費電力(最大) | 78W (Tc) | |
その他の名前 | BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC109N10NS3 GCT-ND BSC109N10NS3GATMA1TR BSC109N10NS3 G SP000778132 BSC109N10NS3 GDKR BSC109N10NS3 GDKR-ND BSC109N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC109N10NS3G BSC109N10NS3 GCT BSC109N10NS3GATMA1CT BSC109N10NS3GATMA1DKR BSC109N10NS3GXT BSC109N10NS3 GTR-ND |
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