SQD19P06-60L

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SQD19P06-60L_GE3

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

NOVA部品番号:

312-2287816-SQD19P06-60L_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQD19P06-60L_GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 60 V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252AA
基本製品番号	SQD19
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	20A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	55mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	41 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1490 pF @ 25 V
消費電力(最大)	46W (Tc)
その他の名前	SQD19P06-60L_GE3-ND SQD19P06-60L-GE3-ND SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L_GE3TR SQD19P06-60L_GE3DKR SQD19P06-60L_GE3CT