SPD18P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

NOVA部品番号:

312-2361603-SPD18P06PGBTMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

SPD18P06PGBTMA1

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	SPD18P06
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	860 pF @ 25 V
消費電力(最大)	80W (Tc)
その他の名前	SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926