SQJ469EP-T1

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SQJ469EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

312-2282868-SQJ469EP-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQJ469EP-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SQJ469
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	32A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	25mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	155 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5100 pF @ 40 V
消費電力(最大)	100W (Tc)
その他の名前	SQJ469EP-T1-GE3TR SQJ469EP-T1_GE3TR SQJ469EP-T1-GE3-ND SQJ469EP-T1-GE3TR-ND SQJ469EP-T1_GE3CT SQJ469EP-T1-GE3CT SQJ469EP-T1-GE3CT-ND SQJ469EP-T1-GE3DKR-ND SQJ469EP-T1_GE3DKR SQJ469EP-T1-GE3 SQJ469EP-T1-GE3DKR