SI7252DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

NOVA部品番号:

303-2361121-SI7252DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7252DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号	SI7252
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	36.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1170pF @ 50V
パワー - 最大	46W
その他の名前	SI7252DP-T1-GE3DKR SI7252DP-T1-GE3TR SI7252DPT1GE3 SI7252DP-T1-GE3CT

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