IPG20N06S4L26ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

NOVA部品番号:

303-2249398-IPG20N06S4L26ATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPG20N06S4L26ATMA1

ひょうじゅんほうそう:

5,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-4
基本製品番号	IPG20N06
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	20A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	26mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 10µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	20nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1430pF @ 25V
パワー - 最大	33W
その他の名前	SP000705588 IPG20N06S4L26ATMA1CT IPG20N06S4L26ATMA1DKR IPG20N06S4L26ATMA1TR

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