SI7252ADP-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

NOVA部品番号:

303-2247932-SI7252ADP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7252ADP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

6,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	18.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	26.5nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1266pF @ 50V
パワー - 最大	3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
その他の名前	742-SI7252ADP-T1-GE3TR 742-SI7252ADP-T1-GE3CT 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR

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