IPB110P06LMATMA1

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MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3

NOVA partie #:

312-2298277-IPB110P06LMATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPB110P06LMATMA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	IPB110
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 5.55mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	281 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8500 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	300W (Tc)
Autres noms	448-IPB110P06LMATMA1TR SP004987252 448-IPB110P06LMATMA1CT IPB110P06LMATMA1-ND 448-IPB110P06LMATMA1DKR