SQM120P06-07L

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQM120P06-07L_GE3

MOSFET P-CH 60V 120A TO263

NOVA partie #:

312-2283069-SQM120P06-07L_GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SQM120P06-07L_GE3

Paquet Standard:

800

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-263 (D²Pak)
Numéro de produit de base	SQM120
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	270 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14280 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	375W (Tc)
Autres noms	SQM120P06-07L_GE3CT SQM120P06-07L_GE3DKR SQM120P06-07L-GE3-ND SQM120P06-07L_GE3TR SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L_GE3-ND