SPB80P06PGATMA1

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MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

NOVA partie #:

312-2291923-SPB80P06PGATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SPB80P06PGATMA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	SPB80P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5033 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	340W (Tc)
Autres noms	SP000096088 SPB80P06P G-ND SPB80P06PGATMA1CT SPB80P06PGXT SPB80P06PGINDKR-ND SPB80P06PGINCT SPB80P06P G SPB80P06PG SPB80P06PGINDKR SPB80P06PGATMA1DKR SPB80P06PGATMA1TR SPB80P06PGINDKRINACTIVE SPB80P06PGINCT-ND SPB80P06PGINTR SPB80P06PGINTR-ND