DMN10H120SFG-7

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
NOVA partie #:
312-2281126-DMN10H120SFG-7
Pièce de fabricant non:
DMN10H120SFG-7
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Diodes Incorporated
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8
Numéro de produit de base DMN10
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerVDFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 549 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 1W (Ta)
Autres noms1034-DMN10H120SFG-7DITR
DMN10H120SFG-7DITR
1034-DMN10H120SFG-7DICT
DMN10H120SFG-7-ND
DMN10H120SFG-7DIDKR
1034-DMN10H120SFG-7DIDKR
DMN10H120SFG-7DICT

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