FDD86567-F085

MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
NOVA partie #:
312-2282830-FDD86567-F085
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDD86567-F085
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 60 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252AA
Numéro de produit de base FDD86567
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4950 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 227W (Tj)
Autres nomsFDD86567_F085
FDD86567_F085CT
FDD86567_F085TR
FDD86567_F085CT-ND
FDD86567-F085DKR
FDD86567_F085TR-ND
FDD86567_F085DKR
FDD86567-F085CT
FDD86567-F085TR
FDD86567_F085DKR-ND

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