IPD034N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
NOVA partie #:
312-2280942-IPD034N06N3GATMA1
Pièce de fabricant non:
IPD034N06N3GATMA1
Paquet Standard:
2,500

Format de téléchargement disponible

N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
Numéro de produit de base IPD034
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieOptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 93µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 167W (Tc)
Autres nomsIPD034N06N3 GINTR-ND
SP000451070
IPD034N06N3 GINCT
IPD034N06N3 GINCT-ND
IPD034N06N3 G-ND
IPD034N06N3 GINDKR
IPD034N06N3GATMA1CT
IPD034N06N3 GINDKR-ND
IPD034N06N3GATMA1TR
IPD034N06N3 G
IPD034N06N3G
IPD034N06N3GATMA1DKR

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