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N-Channel 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK+ | |
Numéro de produit de base | TK90S06 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | U-MOSVIII-H | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 90A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 10 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 157W (Tc) | |
Autres noms | TK90S06N1LLQTR TK90S06N1L,LQ(O TK90S06N1LLQCT TK90S06N1LLQDKR |
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