SI2302DDS-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

NOVA partie #:

312-2285034-SI2302DDS-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI2302DDS-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 20 V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	SI2302
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.9A (Tj)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Dissipation de puissance (maximale)	710mW (Ta)
Autres noms	SI2302DDS-T1-GE3CT SI2302DDS-T1-GE3DKR SI2302DDS-T1-GE3TR