SQ2310ES-T1

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SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

NOVA partie #:

312-2264191-SQ2310ES-T1_GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SQ2310ES-T1_GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	SQ2310
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	485 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	2W (Tc)
Autres noms	SQ2310ES-T1-GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3DKR-ND SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1_GE3TR SQ2310ES-T1_GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3TR SQ2310ES-T1-GE3TR-ND SQ2310ES-T1-GE3CT SQ2310ES-T1_GE3CT SQ2310ES-T1-GE3CT-ND