SI2309CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

NOVA partie #:

312-2280683-SI2309CDS-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI2309CDS-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	SI2309
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	345mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Autres noms	SI2309CDS-T1-GE3TR SI2309CDS-T1-GE3-ND SI2309CDS-T1-GE3DKR SI2309CDST1GE3 SI2309CDS-T1-GE3CT