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N-Channel 30 V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) | |
Numéro de produit de base | IRLHS6342 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.7A (Ta), 19A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 6-PowerVDFN | |
Vg (Max) | ±12V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1019 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta) | |
Autres noms | SP001573840 IRLHS6342TRPBFTR IRLHS6342TRPBFCT IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFDKR |
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