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P-Channel 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) | |
Numéro de produit de base | IRFHS9301 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 13A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.8A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 6-PowerVDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta) | |
Autres noms | IRFHS9301TRPBFDKR IRFHS9301TRPBFTR SP001556616 IRFHS9301TRPBFCT IRFHS9301TRPBF-ND |
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