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N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PQFN (3x3) | |
Numéro de produit de base | IRLHM630 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 4.5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-VQFN Exposed Pad | |
Vg (Max) | ±12V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3170 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | |
Autres noms | IRLHM630TRPBFTR IRLHM630TRPBF-ND IRLHM630TRPBFCT SP001568974 IRLHM630TRPBFDKR |
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