TP65H035WSQA

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

قسمت # NOVA:

312-2265015-TP65H035WSQA

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

TP65H035WSQA

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Transphorm
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-247-3
شماره محصول پایه	TP65H035
فن آوری	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
سلسله	Automotive, AEC-Q101
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	47.2A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	24 nC @ 10 V
بسته / مورد	TO-247-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1500 pF @ 400 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	187W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!