آلتیوم عقاب OrCad پد ها KiCad 
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
قسمت # NOVA:
312-2289907-GAN063-650WSAQ
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
GAN063-650WSAQ
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-247-3 | |
| شماره محصول پایه | GAN063 | |
| فن آوری | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 34.5A (Ta) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 1mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 143W (Ta) | |
| نامهای دیگر | 1727-8711-6INACTIVE 1727-8711-1 1727-8711-2 GAN063-650WSA 1727-8711-6 1727-8711-6-ND 1727-8711-1INACTIVE 1727-8711-2-ND 1727-GAN063-650WSAQ 1727-8711-1-ND 934660022127 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
NV6113-RANavitas Semiconductor, Inc.
LMG3410R050RWHTTexas Instruments
TP65H015G5WSTransphorm
LMG1210RVRRTexas Instruments
MASTERGAN1STMicroelectronics- TP65H035G4WSTransphorm
TP90H050WSTransphorm
TP65H050WSTransphorm
G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
