SIR422DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2280569-SIR422DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIR422DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 40 V 40A (Tc) 5W (Ta), 34.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه SIR422
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 48 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1785 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 5W (Ta), 34.7W (Tc)
نامهای دیگرSIR422DP-T1-GE3CT
SIR422DP-T1-GE3-ND
SIR422DP-T1-GE3TR
SIR422DPT1GE3
SIR422DP-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!