SIR664DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

قسمت # NOVA:

312-2287793-SIR664DP-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIR664DP-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 60 V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه	SIR664
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	40 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1750 pF @ 30 V
نامهای دیگر	SIR664DP-T1-GE3TR SIR664DP-T1-GE3CT SIR664DP-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!