BSC196N10NSGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

قسمت # NOVA:

312-2263414-BSC196N10NSGATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSC196N10NSGATMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-1
شماره محصول پایه	BSC196
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8.5A (Ta), 45A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 42µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	34 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2300 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	78W (Tc)
نامهای دیگر	BSC196N10NSGATMA1TR BSC196N10NSGATMA1DKR SP000379604 BSC196N10NS GTR-ND BSC196N10NS GCT BSC196N10NS GDKR BSC196N10NS GDKR-ND BSC196N10NSG BSC196N10NS GCT-ND BSC196N10NSGATMA1CT BSC196N10NS G-ND BSC196N10NS G