SI4599DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

قسمت # NOVA:

303-2251442-SI4599DY-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI4599DY-T1-GE3

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOIC
شماره محصول پایه	SI4599
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	6.8A, 5.8A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	20nC @ 10V
ویژگی FET	Logic Level Gate
نوع FET	N and P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	640pF @ 20V
قدرت - حداکثر	3W, 3.1W
نامهای دیگر	SI4599DY-T1-GE3CT SI4599DY-T1-GE3DKR SI4599DY-T1-GE3TR SI4599DYT1GE3

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!