SI4564DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
قسمت # NOVA:
303-2249481-SI4564DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4564DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4564
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 10A, 9.2A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 31nC @ 10V
ویژگی FETLogic Level Gate
نوع FETN and P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 855pF @ 20V
قدرت - حداکثر 3.1W, 3.2W
نامهای دیگرSI4564DY-T1-GE3TR
SI4564DYT1GE3
SI4564DY-T1-GE3DKR
SI4564DY-T1-GE3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.