Aluminio águila Okad Forro Kikad 
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Número de pieza NOVA:
312-2265017-TP65H035WS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TP65H035WS
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
| Número de producto base | TP65H035 | |
| Tecnología | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 46.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.8V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 156W (Tc) |
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