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N-Channel 650 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Transphorm | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
Número de producto base | TP65H050 | |
Tecnología | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.8V @ 700µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-247-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000 pF @ 400 V | |
Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
Otros nombres | 1707-TP65H050WSQA |
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