Aluminio águila Okad Forro Kikad 
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Número de pieza NOVA:
312-2297731-TP65H015G5WS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TP65H015G5WS
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Serie | SuperGaN™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 93A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.8V @ 2mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5218 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 266W (Tc) | |
| Otros nombres | 1707-TP65H015G5WS |
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