TPH3212PS

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2273414-TPH3212PS
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH3212PS
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Número de producto base TPH3212
TecnologíaGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.6V @ 400uA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)±18V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1130 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)

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