SQD50N10-8M9L

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SQD50N10-8M9L_GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA

NOVA-Teilenummer:

312-2282435-SQD50N10-8M9L_GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SQD50N10-8M9L_GE3

Standardpaket:

2,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	SQD50
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2950 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Andere Namen	SQD50N10-8M9L_GE3TR SQD50N10-8M9L_GE3DKR SQD50N10-8M9L_GE3CT