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N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3-11 | |
Basisproduktnummer | IPD50N10 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 60µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4180 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) | |
Andere Namen | IPD50N10S3L16ATMA1CT IPD50N10S3L-16DKR IPD50N10S3L-16CT-ND IPD50N10S3L-16TR-ND IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L-16TR IPD50N10S3L16ATMA1DKR IPD50N10S3L16ATMA1TR IPD50N10S3L-16DKR-ND IPD50N10S3L16 SP000386185 IPD50N10S3L-16-ND IPD50N10S3L-16CT |
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