Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
TK60S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2288059-TK60S10N1L,LXHQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK60S10N1L,LXHQ
Standardpaket:
2,000
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK+ | |
| Basisproduktnummer | TK60S10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4320 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) | |
| Andere Namen | TK60S10N1L,LXHQ(O 264-TK60S10N1LLXHQDKR 264-TK60S10N1LLXHQTR 264-TK60S10N1LLXHQCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
STD40NF10STMicroelectronics
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and Storage
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and Storage- STD70N10F4STMicroelectronics
SQD50N10-8M9L_GE3Vishay Siliconix
BUK7Y7R8-80EXNexperia USA Inc.- TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
