TPN2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
NOVA-Teilenummer:
312-2287930-TPN2010FNH,L1Q
Hersteller-Teile-Nr:
TPN2010FNH,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Basisproduktnummer TPN2010
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieU-MOSVIII-H
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-PowerVDFN
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)250 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 600 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Andere NamenTPN2010FNHL1QCT
TPN2010FNHL1QTR
TPN2010FNH,L1Q(M
TPN2010FNHL1QDKR

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