TPN1110ENH,L1Q

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MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

NOVA-Teilenummer:

312-2280980-TPN1110ENH,L1Q

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

TPN1110ENH,L1Q

Standardpaket:

5,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-TSON Advance (3.1x3.1)
Basisproduktnummer	TPN1110
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVIII-H
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerVDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	600 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Andere Namen	TPN1110ENHL1QCT TPN1110ENHL1QTR TPN1110ENHL1QDKR TPN1110ENH,L1Q(M