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N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP Advance (5x5) | |
Basisproduktnummer | TPH1110 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSVIII-H | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1100 pF @ 100 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | |
Andere Namen | TPH1110FNH,L1QDKR-ND TPH1110FNHL1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNH,L1QDKR TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNHL1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNHL1QDKR |
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