IPD50N06S4L12ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

НОВА часть #:

312-2287726-IPD50N06S4L12ATMA2

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD50N06S4L12ATMA2

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта	IPD50N06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±16V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2890 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Другие имена	INFINFIPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2DKR 2156-IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2TR SP001028640 IPD50N06S4L12ATMA2CT