IPD30N06S2L23ATMA3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

НОВА часть #:

312-2287857-IPD30N06S2L23ATMA3

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD30N06S2L23ATMA3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта	IPD30N06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	55 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1091 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	100W (Tc)
Другие имена	IPD30N06S2L23ATMA3CT IPD30N06S2L23ATMA3DKR 2156-IPD30N06S2L23ATMA3 SP001061286 IPD30N06S2L23ATMA3-ND IPD30N06S2L23ATMA3TR INFINFIPD30N06S2L23ATMA3