Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SISS80DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
НОВА часть #:
312-2288152-SISS80DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS80DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS80 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 58.3A (Ta), 210A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | +12V, -8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6450 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 65W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SISS80DN-T1-GE3TR 742-SISS80DN-T1-GE3CT 742-SISS80DN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SISA40DN-T1-GE3Vishay Siliconix
