SISA40DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK

НОВА часть #:

312-2285566-SISA40DN-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SISA40DN-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта	SISA40
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	43.7A (Ta), 162A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8
VGS (макс.)	+12V, -8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3415 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Другие имена	SISA40DN-T1-GE3CT SISA40DN-T1-GE3DKR SISA40DN-T1-GE3TR