FDMS86200

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

НОВА часть #:

312-2263213-FDMS86200

Производитель:

Номер детали производителя:

FDMS86200

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	FDMS86
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.6A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2715 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Другие имена	FDMS86200DKR FDMS86200TR FDMS86200CT