IPD50P04P413ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

НОВА часть #:

312-2296302-IPD50P04P413ATMA2

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD50P04P413ATMA2

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-313
Базовый номер продукта	IPD50P04
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS®-P2
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 85µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3670 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	58W (Tc)
Другие имена	448-IPD50P04P413ATMA2DKR 448-IPD50P04P413ATMA2CT SP002319830 448-IPD50P04P413ATMA2TR